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삼성전자가 30일 세계 최초로 3nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 파운드리(반도체 위탁생산) 공정 양산을 공식 발표했다. 차세대 트랜지스터 구조인 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 것도 삼성전자가 처음이다. 파운드리 시장 1위인 대만 TSMC를 맹추격 중인 삼성전자로서는 기술적 발판을 마련했다는 평가가 나온다. 삼성전자는 GAA 3나노 공정의 고성능 컴퓨팅(HPC)용 시스템 반도체를 처음 생산했다고 이날 밝혔다. 삼성전자는 HPC용 반도체 양산 결과에 따라 모바일 SoC(시스템온칩) 등으로도 3나노 공정 적용을 확대하겠다는 방침이다. 최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 “삼성전자는 파운드리 업계 최초로 하이 케이 메탈 게이트, 핀펫 등의 신기술을 선제적으로 도입해 빠르게 성장했고, 3나노 공정의 파운드리 서비스 또한 세계 최초로 제공하게 됐다”고 말했다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개 면을 게이트가 감싸는 형태로 구성된다.